BSC0902NSATMA1 vs BSC0901NSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0902NSATMA1 bằng Infineon và BSC0901NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0902NSATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| RDS(on) @ VGS=10V max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (Tj) | -55C to +150C |
| Hộp | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC qualified for target applications | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free lead plating) | — |
| Đông trùng haogen | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |