BSL316CH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSL316CH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS123NH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSL316CH6327XTSA1 | BSS123NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS small-signal complementary MOSFET | — |
| Configuration | Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (N-channel ID) | 1.4 A | — |
| Continuous Drain Current (P-channel ID) | 1.5 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Hộp | PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | OptiMOS low-voltage MOSFET | — |
| Channel Type | N-channel + P-channel (dual) | — |
| Số chân | 6 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] | — |
| Part Number | — | BSS123NH6327XTSA1 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 6 Ω @ VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | ±20 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free lead plating) |