BSL316CH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSL316CH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS123NH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSL316CH6327XTSA1 | BSS123NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS small-signal complementary MOSFET | — |
| Configuration | Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (N-channel ID) | 1.4 A | — |
| Continuous Drain Current (P-channel ID) | 1.5 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| بسته‌بندی | PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | OptiMOS low-voltage MOSFET | — |
| Channel Type | N-channel + P-channel (dual) | — |
| تعداد پایه | 6 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] | — |
| Part Number | — | BSS123NH6327XTSA1 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 6 Ω @ VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | ±20 V |
| محدوده دمای کاری | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free lead plating) |