BSS123NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS123NH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS214NH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS123NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Hộp PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (junction)
Qualification AEC-Q101 (automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Technology — OptiMOS 2 (planar N-channel)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
Trạng thái RoHS — Compliant
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá