BSZ096N10LS5ATMA1 vs ISC060N10NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ096N10LS5ATMA1 bằng Infineon và ISC060N10NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ096N10LS5ATMA1 | ISC060N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | 20 V (typical) | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | 40 A | — |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | 62 A | — |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | 160 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 9.6 mΩ at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (low single-volt range) | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 40 A (TC=25 °C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ESD Protection | Yes (gate-integrated) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Code | ATMA1 (tape and reel) | — |
| Series | — | OptiMOS 6 100 V |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 15 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 97 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typical) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |