H5TC4G63AFR-PBA vs H5TC4G63AFR-G7A So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix và H5TC4G63AFR-G7A bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-G7A
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $3,98 —
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps (PC3L-14900) 1600 Mbps (PC3-12800)
Hộp 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 and 4
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C (Tcase) —
Giao diện 16-bit I/O —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant Compliant
Điện áp cung cấp — 1.35V
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to 95°C (case)
Latency CAS — Programmable (e.g., 11)
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
Process Technology — CMOS

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá