IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC28N08S5L230ATMA1 bằng Infineon và IAUC100N04S6L025ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC28N08S5L230ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS-5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | 28 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | 23 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) | 2.5 V | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | 38 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| Hộp | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-5 Power MOSFET | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |