IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC60N04S6L030HATMA1 bằng Infineon và IAUC120N04S6N010ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC60N04S6L030HATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | 60 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | 3.0 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 35 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.128 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 596 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | 75 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per part number suffix) | AEC-Q101 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |