IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN10S7L290TATMA1 bằng Infineon và IAUC100N04S6N015ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN10S7L290TATMA1 | IAUC100N04S6N015ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 7 | OptiMOS-6 40V |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 27 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 28.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 45 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited floor life) |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| ESD Protection | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) | — |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | — | 100 W |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C (junction, typical) |