IPD031N06L3GATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD031N06L3GATMA1 bằng Infineon và BSC032N04LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD031N06L3GATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Cấp MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +175°C |
| Lead-Free | — | Yes |