IPD060N03LGATMA1 vs IPD090N03LGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD060N03LGATMA1 bằng Infineon và IPD090N03LGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD060N03LGATMA1 | IPD090N03LGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) | 200 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.7 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) | 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max) | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | 21 nC | — |
| Output Charge (Qoss, typ) | [DATA_NEEDED: Qoss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 56 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) | 2.5 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) | 62 C/W | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (Unlimited) | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R), 2500 per reel | — |
| AEC-Q101 / Automotive Grade | Not qualified | — |
| Technology / Generation | OptiMOS 30V, trench MOSFET | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at 100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Id] |
| Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 42 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A | — | 9 mOhm (typical) |
| On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C (junction) |
| Hộp | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Technology Family | — | OptiMOS 30V |
| Configuration | — | Single |