IRF1310NSTRLPBF vs IRFB7545PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF1310NSTRLPBF bằng Infineon và IRFB7545PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFB7545PBF IRFB7545PBF - 60V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB7545PBF - 60V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB7545PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF1310NSTRLPBF IRFB7545PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 380 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C —
Hộp D2PAK (TO-263AB) TO-220AB (Through-Hole)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole (THT)
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Cấp MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá