IRF4905LPBF vs IPB019N08N3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF4905LPBF bằng Infineon và IPB019N08N3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
IPB019N08N3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF4905LPBF | IPB019N08N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | ±20 V | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | 200 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC value] | — |
| Rise Time (tr) typ | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| Fall Time (tf) typ | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Hộp | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PbF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V |
| Drive Voltage (Rds On Max) | — | 6 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | — | 206 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14.2 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 3.84 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 3.84 nF |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |