IRF5305PBF vs IRFR5305TRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF5305PBF bằng Infineon và IRFR5305TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF5305PBF IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF5305PBF IRFR5305TRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 110 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 60 mOhm (typical) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Turn-On Delay Time (td(on)) [DATA_NEEDED: td(on)] —
Turn-Off Delay Time (td(off)) [DATA_NEEDED: td(off)] —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA] —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C -55C to +175C
Hộp TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab) TO-252AA (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Through Hole Surface Mount
Lead-Free Plating (PBF suffix) Yes (Pb-free) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá