IRFR1205TRPBF vs IRFR120NTRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR1205TRPBF bằng Infineon và IRFR120NTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR1205TRPBF IRFR120NTRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A 9.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC —
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 210 milliohms at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V to 4 V typical
Total Gate Charge (Qg) typical — 16.7 nC
Gate-to-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá