K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BCTD bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $8,53 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Tổ chức 1G x 8 1G x 8
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps 2400 Mbps
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V
Die Revision B-die —
Hộp FBGA-78 (78-ball TFBGA) 78-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Bank Structure 16 banks, 4 bank groups —
Burst Length BL8 8 and 4
Termination On-Die Termination (ODT), dynamic ODT —
Tính năng ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to 85°C
Speed Bin -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) —
Terminations 78 —
JEDEC-30 Package Code R-PBGA-B78 —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá