K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BCH90 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BYK0 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646D-BCH90 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCH90 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BCH90
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4Gb
Tổ chức 256M x 16 32M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35V (1.283V to 1.45V)
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps (PC3-12800) 2133 Mb/s per pin
Hộp 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 85°C 0°C to +85°C
Latency CAS Programmable (e.g., 11, 10, 9) 9-14 clocks (programmable)
Burst Length 8 (with burst chop 4) 8 and 4
On-Die Termination Yes Yes (ODT)
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Số lượng chân 96 —
Die Revision D-die —
Number of Banks — 8
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá