K4B4G1646D-BYK00 vs H5AN8G4NCJR-XXC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BYK00 bằng Samsung Electronics và H5AN8G4NCJR-xxC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BYK00 H5AN8G4NCJR-xxC
Thương hiệu Samsung Electronics SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 8Gb
Tổ chức 256M x 16 x4 (H5AN8G4NCJR)
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
Điện áp cung cấp 1.35 V (also operates at 1.5 V) 1.2V
Hộp 96-ball TFBGA FBGA
Number of Terminals 96 —
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latency CAS Programmable —
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes Yes
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá