K6F3216U6M-EF70T vs K6F1616U6A-EF55T So sánh

So sánh chi tiết song song của K6F3216U6M-EF70T bằng Samsung Electronics và K6F1616U6A-EF55T bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K6F3216U6M-EF70T K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K6F1616U6A-EF55T K6F1616U6A-EF55T - 16Mbit Async SRAM 55ns 48-TFBGA | Samsung

K6F1616U6A-EF55T - 16Mbit Async SRAM 55ns 48-TFBGA | Samsung

K6F1616U6A-EF55T ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K6F3216U6M-EF70T K6F1616U6A-EF55T
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Kích thước bộ nhớ 32 Mbit 16 Mbit
Tổ chức 2M x 16 1M x 16
Điện áp cung cấp 3 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Giao diện Parallel Parallel
Technology Full CMOS Static RAM Full CMOS Static RAM
Hộp 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) 48-TFBGA (7.5 x 9.5 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade -EF70 (55 ns) —
Standard Pack Qty 2400 —
Trạng thái RoHS NO (per third-party listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Composition Volatile SRAM —
Refresh Requirement None (static memory) None (static RAM)
Supply Voltage Range — 2.7 V to 3.3 V
Packaging — Tape & Reel (T suffix)
Clock Frequency — N/A (asynchronous, no clock required)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá