K9HQGY8S5M vs K9DUGY8S0M-CCK0 So sánh

So sánh chi tiết song song của K9HQGY8S5M bằng Samsung Electronics và K9DUGY8S0M-CCK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K9HQGY8S5M K9HQGY8S5M - 3D V-NAND Flash, FBGA-316 | Samsung | SSD Storage

K9HQGY8S5M - 3D V-NAND Flash, FBGA-316 | Samsung | SSD Storage

K9HQGY8S5M ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K9DUGY8S0M-CCK0 K9DUGY8S0M-CCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9DUGY8S0M-CCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9DUGY8S0M-CCK0 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K9HQGY8S5M K9DUGY8S0M-CCK0
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Type 3D V-NAND Flash Memory (stacked, client NAND) —
Package Type 316-ball Fine Pitch BGA (FBGA-316) —
Die Configuration 4 x K9ADGD8S0A V-NAND dies (per TechInsights package analysis) —
NAND Technology 32-layer pMLC 3D V-NAND (per Samsung 850 Pro 256 GB analysis) —
Memory Class Non-volatile NAND flash —
Giao diện NAND (ONFI/Toggle-style asynchronous interface) - exact timing mode [DATA_NEEDED: interface timing mode] [DATA_NEEDED: interface type/width]
Density [DATA_NEEDED: total bit density] [DATA_NEEDED: density]
Điện áp cung cấp [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: VCC range]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance rating] —
Kiểu lắp đặt Surface Mount (BGA) Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Original Application Samsung SSD 850 Pro solid-state drive —
Product Family — K9 series NAND Flash (V-NAND)
Kiểu bộ nhớ — NAND Flash (raw, controller-managed)
Cell Technology — V-NAND (vertical charge-trap)
Page Program Time — [DATA_NEEDED: tPROG]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: tBERS]
Read Time — [DATA_NEEDED: tR]
Hộp — [DATA_NEEDED: package code and pin count]
P/E Cycle Endurance — [DATA_NEEDED: endurance]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá