K9MUGY8R4A-CCQ0 vs K9NUGY8R6B-CCQ0 So sánh
So sánh chi tiết song song của K9MUGY8R4A-CCQ0 bằng Samsung Electronics và K9NUGY8R6B-CCQ0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K9MUGY8R4A-CCQ0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics
K9MUGY8R4A-CCQ0 ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K9NUGY8R6B-CCQ0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung | SSD Storage
K9NUGY8R6B-CCQ0 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9MUGY8R4A-CCQ0 | K9NUGY8R6B-CCQ0 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Product Family | K9 V-NAND (NAND Flash) | — |
| Memory Technology | V-NAND (vertical NAND flash) | — |
| Cell Type | [DATA_NEEDED: cell type (MLC/TLC)] | Triple-Level Cell (TLC) |
| Density | [DATA_NEEDED: total density] | 1 Tb |
| Tổ chức | [DATA_NEEDED: page/block organization] | — |
| Loại giao diện | [DATA_NEEDED: interface (Toggle DDR/ONFI)] | — |
| Maximum I/O Speed | [DATA_NEEDED: data transfer rate] | — |
| Supply Voltage - VCC | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Supply Voltage - VCCQ | [DATA_NEEDED: VCCQ range] | — |
| Page Program Time (typ) | [DATA_NEEDED: tPROG] | — |
| Block Erase Time (typ) | [DATA_NEEDED: tBERS] | — |
| Endurance (P/E cycles) | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package type and pin count] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] |
| Kiểu bộ nhớ | — | NAND Flash (V-NAND, 3D TLC) |
| Hộp | — | 176-ball FBGA (176L) |
| Điện áp cung cấp | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Page Size | — | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: P/E endurance] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention] |
| Read Latency | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Giao diện | — | Asynchronous / Toggle-mode NAND (per Samsung V-NAND protocol) |
| ECC Requirement | — | External controller LDPC ECC required |
| Application Class | — | Consumer / Client / Enterprise SSD raw NAND |