K9PKGY8S7M-CCK0 vs K9CHGY8S5C-CCK0 So sánh
So sánh chi tiết song song của K9PKGY8S7M-CCK0 bằng Samsung Electronics và K9CHGY8S5C-CCK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung
K9PKGY8S7M-CCK0 ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K9CHGY8S5C-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory BGA-316 | Samsung
K9CHGY8S5C-CCK0 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9PKGY8S7M-CCK0 | K9CHGY8S5C-CCK0 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Memory Capacity | 128 Gb (16 GB) | — |
| Kiểu bộ nhớ | NAND Flash | — |
| Cell Architecture | 3D V-NAND, MLC (2 bits/cell) | — |
| V-NAND Layers | 24 layers | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Hộp | BGA | BGA-316 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA reflow) |
| Giao diện | Asynchronous/toggle-mode NAND bus (per Samsung V-NAND family) | — |
| Điện áp cung cấp | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] | [DATA_NEEDED: P/E endurance] |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Trạng thái RoHS | Lead free / RoHS compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Application Domain | Enterprise SSD (e.g., Samsung 845DC Pro) | — |
| Access Time (tR) | [DATA_NEEDED: read cycle time] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention specification] | — |
| Product Type | — | NAND Flash Memory |
| Tổ chức | — | x8 (8-bit data access), quad CE configuration |
| Chip Enable Count | — | 16 (CE_n) |
| Pin Reduction | — | Not used |
| Supply Rail VCC | — | 1.83 V |
| Supply Rail (secondary) | — | 1.84 V |
| Supply Rail VCCQ-class | — | 2.96 V |
| Program/Erase Supply Rail | — | 12 V domain |
| Memory Technology | — | [DATA_NEEDED: cell type / V-NAND generation] |
| Density | — | [DATA_NEEDED: total density in Gb] |
| Loại giao diện | — | [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI, max data rate] |