MT40A1G8SA-075:E vs MT40A1G8SA-062E So sánh
So sánh chi tiết song song của MT40A1G8SA-075:E bằng Micron Technology và MT40A1G8SA-062E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT40A1G8SA-075:E | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8Gbit (1G x 8) | — |
| Giao diện | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.6 GHz |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 MT/s | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Hộp | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Tổ chức | — | 1G x 8 |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| Tính năng | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |