NT5AD512M16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16A4-HR bằng Nanya Technology và K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-HR NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR ✓ Hoạt động
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5AD512M16A4-HR K4A8G165WC-BCRC
Thương hiệu Nanya Technology Samsung Electro-Mechanics
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $19,69
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps (PC4-25600) 2400 Mbps
Nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C 0 C to +95 C
Hộp TFBGA-96 96-FBGA (TFBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
Giao diện — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Tính năng — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá