RTAX2000D-1CQ352E vs RTAX4000D-1CQ352B So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000D-1CQ352E bằng Microchip Technology và RTAX4000D-1CQ352B bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP352 | Microchip
RTAX2000D-1CQ352E ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX4000D-1CQ352B - 4M-Gate Rad-Tolerant FPGA 1.5V | Microchip
RTAX4000D-1CQ352B ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000D-1CQ352E | RTAX4000D-1CQ352B |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Equivalent System Gates | 2000000 gates | 4000000 gates |
| Logic Organization | 19712 CLBs | — |
| Technology | Digital CMOS FPGA, antifuse (nonvolatile) | CMOS, Digital |
| Hộp | CQFP352 (352-terminal Ceramic Quad Flat Pack) | 352-pin Ceramic CQFP (CQ352) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +125C | — |
| Family | RTAX-S/SL and RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGAs | RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGA |
| Total Ionizing Dose (Functional) | 300 krad | — |
| Total Ionizing Dose (Rated) | 200 krad | — |
| DSP Mathblocks | Up to 120 | — |
| DSP MAC Performance | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate | — |
| Embedded Memory | Up to 540 kbits with optional EDAC protection | — |
| Programmability | One-time programmable (antifuse) | — |
| Điện áp cung cấp | [DATA_NEEDED: core/supply voltage] | — |
| User I/O Terminals | [DATA_NEEDED: user I/O count for CQ352] | — |
| Max System Frequency | [DATA_NEEDED: max system frequency] | — |
| Radiation Environment Target | Space-based applications | — |
| Commercial Prototype Equivalent | Axcelerator family device | — |
| Logic Cells | — | 55440 cells |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | — | 36960 CLBs |
| Core Supply Voltage (Nominal) | — | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | — | 1.425 V to 1.575 V |
| Combinatorial CLB Delay (Max) | — | 0.99 ns |
| Process Technology | — | 0.15 um CMOS |
| Programmability Type | — | Antifuse (OTP), live at power-up |
| Speed Grade | — | -1 |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Radiation Tolerance | — | Radiation-tolerant (space flight) |
| Embedded SRAM | — | Yes (with built-in FIFO control logic) |
| Operating Temperature Bin | — | B |
| Trạng thái RoHS | — | unknown |