RTAX2000D-CQ352V vs RTAX2000DL-CQ352V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000D-CQ352V bằng Microchip Technology và RTAX2000DL-CQ352V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000D-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP352 | Microchip
RTAX2000D-CQ352V ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000D-CQ352V | RTAX2000DL-CQ352V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | RTAX-S/SL and RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGAs | RTAX-DSP (RTAX-S/SL and RTAX-DSP radiation-tolerant FPGAs) |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29,568 | 29,568 |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 19,712 | — |
| User I/O - Inputs | 166 | — |
| User I/O - Outputs | 166 | — |
| Supply Voltage (Core) | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) | — |
| Technology | CMOS, antifuse one-time programmable | CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable) |
| Hộp | CQFP352 ceramic quad flat pack | CQFP-352, hermetically sealed ceramic, metal-sealed cofired |
| Terminal Pitch | 0.500 mm | 0.500 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | One-time programmable (antifuse) | Live-at-power-up (antifuse, no external boot device) |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (space-flight applications) | — |
| Application Domain | Space-flight systems | — |
| Commercial Baseline Family | Actel/Microsemi Axcelerator | — |
| CLBs | — | 19,712 |
| Core Supply Voltage | — | 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 (18-bit x 18-bit MAC, up to 125 MHz) |
| Maximum Combinatorial Delay | — | 1.100 ns |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | 300 krad (functional); 200 krad (per family data) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +125C |