RTAX4000D-CQ352V vs RTAX2000D-1CQ352V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX4000D-CQ352V bằng Microchip Technology và RTAX2000D-1CQ352V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX4000D-CQ352V - 4M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip Technology
RTAX4000D-CQ352V ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000D-1CQ352V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX4000D-CQ352V | RTAX2000D-1CQ352V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Equivalent System Gates | 4,000,000 gates | — |
| Logic Cells | 55,440 | 29,568 |
| CLB Organization | 36,960 CLBs | — |
| Number of User I/Os | 166 | — |
| Technology | Digital, CMOS | Digital CMOS, antifuse (nonvolatile) |
| Programmability Type | Antifuse (OTP), live at power-up | — |
| Family | RTAX-S/SL and RTAX-DSP radiation-tolerant FPGAs | — |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Clocking | Segmentable clocks, chip-wide highway routing | — |
| Operating Temperature Min | -55 C | — |
| Operating Temperature Max | +125 C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp | CQ352 ceramic column grid array | CQFP-352 (CQ352), ceramic |
| Application Domain | Space flight systems (radiation-tolerant) | — |
| Radiation Tolerance | [DATA_NEEDED: TID and SEE ratings] | — |
| Core Supply Voltage | [DATA_NEEDED: core voltage] | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Equivalent Gates | — | 2,000,000 |
| CLBs | — | 19,712 |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| DSP MAC Performance | — | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Total Ionizing Dose (Functional) | — | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose | — | 200 krad (Si) |
| Configuration | — | Live at power-up, single-chip, no external configuration device |
| Speed Grade | — | -1 |
| Screening | — | RTAX-D (Condition A, tighter ICCA limits at 125C final electrical test) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |