RTAX4000SL-1CQ352E vs RTAX2000DL-CQ352B So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX4000SL-1CQ352E bằng Microchip Technology và RTAX2000DL-CQ352B bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX4000SL-1CQ352E - 4M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP-352 | Microchip
RTAX4000SL-1CQ352E ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352B ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX4000SL-1CQ352E | RTAX2000DL-CQ352B |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | RTAX-SL Radiation-Tolerant FPGA | — |
| Equivalent Gates | 4,000,000 | — |
| Logic Cells | 60,480 | [DATA_NEEDED: Logic Cells] |
| CLBs | 40,320 | 19,712 |
| Process Technology | 0.15 um CMOS | — |
| Core Supply Voltage | 1.5 V | — |
| Hộp | 352-pin CQFP, 0.500 mm terminal pitch | 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +125C (extended) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Programmability | Antifuse, one-time programmable, live at power-up | — |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (space flight qualified family) | — |
| Packaging | Box | — |
| Danh mục | Programmable Logic Devices - FPGA | — |
| I/O Standard Support | [DATA_NEEDED: I/O standard list] | — |
| Embedded Memory | [DATA_NEEDED: embedded SRAM block capacity] | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Equivalent System Gates | — | 2,000,000 |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| DSP MAC Performance | — | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Programming Technology | — | Nonvolatile antifuse |
| Total Ionizing Dose (Functional) | — | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Parameter) | — | 200 krad (Si) |
| Core Supply Voltage (Nominal) | — | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | — | 1.425 V to 1.575 V |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |
| Configuration | — | Live at power-up, no external boot PROM required |
| Application Domain | — | Space flight systems |