TLP183(GB-TPL vs TLP182GB-TPL.E(T So sánh

So sánh chi tiết song song của TLP183(GB-TPL bằng Toshiba và TLP182GB-TPL.E(T bằng Toshiba. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số TLP183(GB-TPL TLP182GB-TPL.E(T
Thương hiệu Toshiba Toshiba
Danh mục Optocouplers Optocouplers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage —
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Input Type DC (InGaAs Infrared LED) AC (dual antiparallel LEDs)
Kiểu đầu ra Phototransistor (BJT) Phototransistor (NPN)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
Hộp 6-SO (SO6, 4-pin functional) 4-Lead SO6 (SMD)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Forward Current (IF) 50 mA max —
Reverse Voltage (VR) 6 V max —
Forward Voltage (VF) 1.25 V typ at IF=10 mA —
N Nap-Emit (Vceo) 80 V max 80 V
Emitter-Collector Voltage (VECO) 7 V max —
Trực流 điện tử (Ic) 50 mA max 50 mA
CTR (Current Transfer Ratio) 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank —
Nhiệt độ hoạt động -55 C to +125 C —
Storage Temperature -55 C to +150 C —
CTR Rank GB (50-600% range) —
Rise Time (tr) 5 us typ —
Fall Time (tf) 5 us typ —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging TPL (L direction, 3000 pcs/reel) —
Packing Option Code E (RoHS) —
Part Number — TLP182GB-TPL.E(T
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA
Turn-On Time (ton) — 2 us
Turn-Off Time (toff) — 3 us
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 degC to +125 degC
Input Forward Current (IF) — 50 mA max
Input Reverse Voltage (VR) — 5 V
Power Dissipation (PC) — 200 mW

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá