H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63CFR-PBL 比較

詳細並排比較 H5TC4G63CFR-PBA 由 SK hynix 與 H5TC4G63CFR-PBL 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ 啟用中
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H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ 啟用中

規格比較

參數 H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBL
品牌 SK hynix SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) $6.23 —
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
組織 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
封裝 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA (TFBGA)
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant Compliant
無鹵素 Yes Yes
Lead-Free Yes Yes
記憶體容量 — 4 Gb (256M x 16)
供應電壓 — 1.35 V
資料速率 — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Burst Length — 8
CAS 延遲 — 11, 12, 13
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85C

資料表與資源

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