M29F200FT55M3F2 vs M29F200FT55N3F2 比較

詳細並排比較 M29F200FT55M3F2 由 Micron Technology 與 M29F200FT55N3F2 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 啟用中
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M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

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規格比較

參數 M29F200FT55M3F2 M29F200FT55N3F2
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
組織 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block Top Boot Block
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
工作溫度 -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
封裝 44-pin SO (TSOP) 48-pin TSOP
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR suffix)
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 128 K
Bits per Word — 16 bits
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
介面 — Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
MSL 等級 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

資料表與資源

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