NT6AN8T0SA vs W634GU6RB12I 比較
詳細並排比較 NT6AN8T0SA 由 Nanya Technology 與 W634GU6RB12I 由 Winbond. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT6AN8T0SA | W634GU6RB12I |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Winbond |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | LPDDR2 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| 組織 | 64M x 32 | 256M x 16 |
| 供應電壓 | 1.2V | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| 資料速率 | 1066 Mbps (533 MHz) | 800 MHz (DDR3L-1600) |
| 工作溫度範圍 | -30°C to +85°C | — |
| 封裝 | FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| 記憶體容量 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 20 ns |
| 工作溫度 | — | -40°C to +95°C (TCASE) |
| 介面 | — | Parallel |
| 無鹵素 | — | Yes |
| Speed Grade | — | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) |
| CAS 延遲 | — | 11 |