W634GU6RB-11 vs W634GU6RB12I 比較
詳細並排比較 W634GU6RB-11 由 Winbond 與 W634GU6RB12I 由 Winbond. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | W634GU6RB-11 | W634GU6RB12I |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | Winbond |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | $13.52 | — |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| 介面 | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 資料速率 | 1866 MT/s | 800 MHz (DDR3L-1600) |
| CAS 延遲 | 20 ns | 11 |
| 供應電壓 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V |
| 封裝 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (TCASE) |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| 無鹵素 | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| Burst Length | — | 8 |