W634GU6RB09I vs IS43TR16256AL-107MBLI-TR 比較
詳細並排比較 W634GU6RB09I 由 Winbond 與 IS43TR16256AL-107MBLI-TR 由 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI-TR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI-TR ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | W634GU6RB09I | IS43TR16256AL-107MBLI-TR |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $5.60 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| 資料匯流排寬度 | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | 933 MHz |
| CAS 延遲 | 20 ns | — |
| 供應電壓 | 1.35 V | — |
| 封裝 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| 工作溫度 | -40C to +95C | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 介面 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Voltage - I/O | 1.35 V | — |
| 資料速率 | — | 1866 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V ± 0.1 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V ± 0.1 V |
| 工作溫度範圍 | — | 0°C to +95°C (Tc) |
| ECCN | — | EAR99 |
| Part Status | — | Active |