W634GU6RB09I vs IS43TR16256AL-107MBLI-TR 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB09I 제조: Winbond 및 IS43TR16256AL-107MBLI-TR 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI-TR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI-TR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB09I | IS43TR16256AL-107MBLI-TR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.00 | $5.60 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | 933 MHz |
| CAS 레이턴시 | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | — |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| 동작 온도 | -40C to +95C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Voltage - I/O | 1.35 V | — |
| 데이터 속도 | — | 1866 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V ± 0.1 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V ± 0.1 V |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C (Tc) |
| ECCN | — | EAR99 |
| Part Status | — | Active |