AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4B-62BCNTR 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4-75BIN 出自 Alliance Memory 和 AS4C512M16D4B-62BCNTR 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 量产中
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AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4B-62BCNTR
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.99 $8.10
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1600 MHz
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
电源电压 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
封装 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (7.5x13 mm)
工作温度 -40°C to +95°C 0°C to 95°C
安装类型 Surface Mount Surface Mount
接口 POD Parallel
数据速率 2666 Mbps 3200 MT/s
引脚数 96 —
RoHS 状态 Compliant Compliant
特性 Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
CAS 延迟 — 19 ns
JEDEC Standard — Compliant
存储组织 — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

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