AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory y AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Activo
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AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4B-62BCNTR
Marca Alliance Memory Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,99 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1600 MHz
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Tensión de alimentación 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C 0°C to 95°C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Interfaz POD Parallel
Velocidad de datos 2666 Mbps 3200 MT/s
Número de pines 96 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Características Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Latencia CAS — 19 ns
JEDEC Standard — Compliant
Organización de memoria — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

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