AS4C512M16D4-75BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4-75BIN 出自 Alliance Memory 和 MT40A512M16JY-07EAIT:B 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 量产中
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4-75BIN MT40A512M16JY-07EAIT:B
品牌 Alliance Memory Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.99 $8.10
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.33 GHz
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
电源电压 1.2 V —
封装 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (8x14)
工作温度 -40°C to +95°C —
安装类型 Surface Mount —
接口 POD Parallel
数据速率 2666 Mbps 2666 MT/s
引脚数 96 —
RoHS 状态 Compliant —
特性 Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
存储组织 — 512M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
工作温度范围 — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

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