AS4C512M16D4B-62BCNTR vs MT40A512M16LY-062E:E 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4B-62BCNTR 出自 Alliance Memory 和 MT40A512M16LY-062E:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 量产中
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4B-62BCNTR MT40A512M16LY-062E:E
品牌 Alliance Memory Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.10 $34.99
存储器类型 DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
存储容量 8 Gbit (512M x 16) —
数据速率 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade)
CAS 延迟 19 ns —
电源电压 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
接口 Parallel Parallel (LVCMOS / SSTL)
封装 96-FBGA (7.5x13 mm) —
工作温度 0°C to 95°C [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron]
安装类型 Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
存储组织 512M x 16 x16
Revision Rev.B —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Density — 8 Gbit (512M x 16)
Access Time (tRCD/tRP) — 19 ns (per DigiKey listing)
Voltage - Supply (VDD) — 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max
Voltage - VPP — 2.5 V (typical)
封装 / 外壳 — 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm)
Refresh Cycles — 65536
On-Die Termination — Yes (ODT)
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes (data channel)
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes (LPASR)
Asynchronous Reset — Yes

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