AS4C512M16D4B-62BCNTR vs MT40A512M16LY-062E:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4B-62BCNTR 제조: Alliance Memory 및 MT40A512M16LY-062E:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | AS4C512M16D4B-62BCNTR | MT40A512M16LY-062E:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Alliance Memory | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $34.99 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| 메모리 크기 | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) |
| CAS 레이턴시 | 19 ns | — |
| 공급 전압 | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (LVCMOS / SSTL) |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13 mm) | — |
| 동작 온도 | 0°C to 95°C | [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | x16 |
| Revision | Rev.B | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Access Time (tRCD/tRP) | — | 19 ns (per DigiKey listing) |
| Voltage - Supply (VDD) | — | 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max |
| Voltage - VPP | — | 2.5 V (typical) |
| 패키지 / 케이스 | — | 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Refresh Cycles | — | 65536 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (data channel) |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes (LPASR) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |