H5TC4G63CFR-H9J vs MT41K256M16HA-107G:E 对比

详细并排对比 H5TC4G63CFR-H9J 出自 SK hynix 和 MT41K256M16HA-107G:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E ✓ 量产中

规格对比

参数 H5TC4G63CFR-H9J MT41K256M16HA-107G:E
品牌 SK hynix Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.00 $4.00
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
存储组织 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
封装 96-ball TFBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes Yes
无卤 Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
存储容量 — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
电源电压 — 1.35V
接口 — Parallel
安装类型 — Surface Mount
工作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 状态 — Compliant
数据总线宽度 — 16 bit
CAS 延迟 — [DATA_NEEDED: CAS latency]
引脚数 — 96

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