H5TC4G63CFR-H9J vs MT41K256M16HA-107G:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-H9J 제조: SK hynix 및 MT41K256M16HA-107G:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107G:E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63CFR-H9J | MT41K256M16HA-107G:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.00 | $4.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Speed Grade | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) | — |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| 공급 전압 | — | 1.35V |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| 핀 수 | — | 96 |