K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BMK0 对比

详细并排对比 K4B4G1646D-BYK0 出自 Samsung Electronics 和 K4B4G1646D-BMK0 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ 量产中
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K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ 量产中

规格对比

参数 K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BMK0
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $2.90 $5.90
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
存储组织 256M x 16 256M x 16
电源电压 1.35 V (1.5 V compatible) —
数据速率 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps
封装 96-ball FBGA 96FBGA (TFBGA)
工作温度 0°C to 85°C -40°C to 95°C
CAS 延迟 Programmable (e.g., 11, 10, 9) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
On-Die Termination Yes —
Lead-Free Yes Yes
无卤 Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
引脚数 96 —
Die Revision D-die —
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
Die Version — D-die
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

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