K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXL 对比

详细并排对比 K4B4G1646E-BYMA 出自 Samsung Electronics 和 H5TC4G63CFR-xxL 出自 SK hynix。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 量产中
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ 量产中

规格对比

参数 K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-xxL
品牌 Samsung Electronics SK hynix
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $14.32 $6.50
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
存储组织 256M x 16 256M x 16
电源电压 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35V
Clock Frequency 933 MHz —
数据速率 1866 Mbps/pin [DATA_NEEDED: data rate]
工作温度 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
封装 FBGA-96 96-pin FBGA
安装类型 Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant Compliant
CAS 延迟 [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 (with burst chop)
引脚数 96 96
工作温度范围 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — Yes
无卤 — Yes
接口 — DDR3L

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