MT40A512M16LY-062E vs MT40A512M16LY-075:E 对比

详细并排对比 MT40A512M16LY-062E 出自 Micron Technology 和 MT40A512M16LY-075:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E ✓ 量产中
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MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-075:E
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.65 $5.80
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
存储组织 512M x 16 —
数据速率 3200 MT/s 2666 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz 1.33 GHz
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD/VDDQ 1.2 V +/- 60 mV —
Supply Voltage VPP 2.5 V (-125 mV, +250 mV) —
Bank Architecture 16 banks in 2 groups of 4 (x16) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain —
特性 Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
工作温度 -40C to +95C (IT grade) —
封装 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13.5mm)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 状态 Compliant —
CAS 延迟 — 19
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
接口 — Parallel
工作温度范围 — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Internal Banks (x16) — 8 banks (4 groups of 2)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
RoHS — Compliant

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