MT40A512M16TB-062E vs AS4C512M16D4A-62BCNTR 对比

详细并排对比 MT40A512M16TB-062E 出自 Micron Technology 和 AS4C512M16D4A-62BCNTR 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ 量产中
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A512M16TB-062E AS4C512M16D4A-62BCNTR
品牌 Micron Technology Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $60.00 $8.10
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
存储组织 512M x 16 —
数据速率 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 MT/s
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
工作温度范围 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
封装 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
接口 Parallel POD (Pseudo Open Drain)
特性 Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS 状态 Compliant —
REACH Status Compliant —
电源电压 — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
CAS 延迟 — 18 ns
工作温度 — 0°C to +95°C (Commercial)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

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