MT40A512M16TB-062E vs AS4C512M16D4A-62BCNTR 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16TB-062E 제조: Micron Technology 및 AS4C512M16D4A-62BCNTR 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ 활성
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M16TB-062E AS4C512M16D4A-62BCNTR
브랜드 Micron Technology Alliance Memory
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $60.00 $8.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
메모리 구성 512M x 16 —
데이터 속도 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 MT/s
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
동작 온도 범위 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
패키지 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 Parallel POD (Pseudo Open Drain)
특징 Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS 상태 Compliant —
REACH Status Compliant —
공급 전압 — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
CAS 레이턴시 — 18 ns
동작 온도 — 0°C to +95°C (Commercial)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

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