MT41K256M16HA-125IT:E vs W634GU6RB09I 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-125IT:E 出自 Micron Technology 和 W634GU6RB09I 出自 Winbond。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E ✓ 量产中
Winbond
W634GU6RB09I W634GU6RB09I - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09I - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09I ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-125IT:E W634GU6RB09I
品牌 Micron Technology Winbond
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $4.50 $6.00
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
存储组织 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 800 MHz —
CAS 延迟 13.75 ns 20 ns
电源电压 1.35 V 1.35 V
封装 96-FBGA (9x14 mm) 96-VFBGA (7.5x13 mm)
引脚数 96 —
接口 Parallel Parallel
工作温度 -40°C to +95°C -40C to +95C
安装类型 Surface Mount Surface Mount
Logic Family CMOS —
Lead Free Yes —
RoHS 状态 Compliant Compliant
数据速率 DDR3L-1600 —
存储容量 — 4Gbit (256M x 16)
数据总线宽度 — 16 bit
Clock Frequency — 1.067 GHz
Lead-Free — Yes
Access Time — 20 ns
Voltage - I/O — 1.35 V

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