MT41K256M16HA-125IT:E vs W634GU6RB09I 비교
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Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125IT:E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-125IT:E | W634GU6RB09I |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.50 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 800 MHz | — |
| CAS 레이턴시 | 13.75 ns | 20 ns |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| 핀 수 | 96 | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic Family | CMOS | — |
| Lead Free | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 데이터 속도 | DDR3L-1600 | — |
| 메모리 크기 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 1.067 GHz |
| Lead-Free | — | Yes |
| Access Time | — | 20 ns |
| Voltage - I/O | — | 1.35 V |