MT41K256M16LY-107:N vs MT41K256M16HA-125:E 对比

详细并排对比 MT41K256M16LY-107:N 出自 Micron Technology 和 MT41K256M16HA-125:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16HA-125:E
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.10 $3.10
存储器类型 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
存储容量 4 Gbit —
存储组织 256M x 16 256M x 16
数据总线宽度 16 bit 16 bits
最大时钟频率 933 MHz —
Access Time 20 ns —
电源电压 1.35 V —
封装 / 外壳 96-FBGA (7.5x13.5) —
安装方式 Surface Mount —
工作温度范围 0°C to +95°C (Tc) 0°C to +95°C (TC)
RoHS Compliant —
Memory Format DRAM —
Technology DDR3L —
Supply Voltage - Min 1.283 V —
Supply Voltage - Max 1.45 V —
Density — 4 Gbit
Clock Frequency — 800 MHz
CAS 延迟 — 13.75 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
封装 — 96-FBGA (9x14 mm)
引脚数 — 96
安装类型 — Surface Mount
RoHS 状态 — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS

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